12A(Tc) 단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 482
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.
계열
-aMOS5™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CPCoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7DeepGATE™, STripFET™ VIEEF
포장
Digi-Reel®박스벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)SiC(실리콘 카바이드 접합 트랜지스터)SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V180 V200 V
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V4V, 10V4.5V, 10V5V5V, 10V6V, 10V9V, 20V10V10V, 12V12V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
7.5m옴 @ 6A, 10V9m옴 @ 11A, 10V9m옴 @ 6A, 10V9.4m옴 @ 15.7A, 4.5V10m옴 @ 12A, 10V10m옴 @ 9.3A, 10V10.5m옴 @ 6A, 10V11m옴 @ 9.7A, 4.5V11.3m옴 @ 1A, 4.5V11.5m옴 @ 10A, 10V11.9m옴 @ 12A, 10V12m옴 @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
800mV @ 250µA850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2.3 nC @ 12 V2.8 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V7.3 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 5 V9.6 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V10 nC @ 5 V10.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+5V, -20V±5V±8V±10V±12V±15V±16V±18V+20V, -1V±20V+22V, -20V±22V+23V, -10V+25V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
256 pF @ 25 V258 pF @ 1.2 kV290 pF @ 400 V300 pF @ 25 V300 pF @ 30 V300 pF @ 1000 V315 pF @ 25 V350 pF @ 25 V398 pF @ 15 V405 pF @ 15 V435 pF @ 15 V440 pF @ 30 V
FET 특징
-전류 감지
내전력(최대)
1W(Ta), 23W(Tc)1.5W(Tc)1.56W(Ta), 107W(Tc)1.56W(Ta), 40W(Tc)1.7W(Tc)2W(Ta), 20W(Tc)2W(Ta), 50W(Tc)2W(Tc)2.23W(Ta), 40W(Tc)2.4W(Ta), 5W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta), 37W(Tc)
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
등급
-군사용자동차
인증
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/592
실장 유형
-스루홀표면 실장
공급 장치 패키지
6-DFN(2x2)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(5x6)8-HSMT(3.2x3)8-SO8-SOIC8-SOP8-VSONP(3x3.3)16-DFN(8x8)-D2PAKD3PAK
패키지/케이스
4-PowerTSFN6-WDFN 노출형 패드8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)16-PowerVDFN-ISOPLUS220™PLUS-220SMDPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8WPowerPAK® CHIPFET™ 단일
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환경 옵션
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가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
337,419
재고 있음
1 : ₩596.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩276.61920
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
44m옴 @ 12A, 10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta), 50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252(DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
137,716
재고 있음
140,000
공장
1 : ₩596.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩279.28040
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
140m옴 @ 5A, 10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252-3
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
37,154
재고 있음
1 : ₩653.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩219.78233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
12A(Tc)
2.5V, 10V
26m옴 @ 9A, 10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta), 19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
79,513
재고 있음
1 : ₩695.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩232.46400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
21m옴 @ 5A, 10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta), 19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK 1212-8
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
65,481
재고 있음
1 : ₩809.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩306.24833
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
24m옴 @ 7.8A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta), 15.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SC-70-6 Single
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
26,750
재고 있음
1 : ₩851.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩285.29600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
12A(Tc)
1.5V, 4.5V
20.5밀리옴 @ 6A, 4.5V
1V @ 250µA
62 nC @ 8 V
±8V
1750 pF @ 10 V
-
3.5W(Ta), 19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
11,132
재고 있음
1 : ₩865.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩326.66600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
8 V
12A(Tc)
1.2V, 4.5V
9.4m옴 @ 15.7A, 4.5V
800mV @ 250µA
25.2 nC @ 5 V
±5V
1508 pF @ 4 V
-
3.5W(Ta), 19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
148,693
재고 있음
1 : ₩894.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩300.08800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
115m옴 @ 12A, 10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1185 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta), 50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252(DPAK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
45,439
재고 있음
1 : ₩936.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩314.88233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
47m옴 @ 4.4A, 10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
63,737
재고 있음
1 : ₩1,234.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩407.63700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
29m옴 @ 8A, 10V
2V @ 1mA
-
±10V
1594 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
7,813
재고 있음
1 : ₩1,362.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩563.24200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
12A(Tc)
4V, 10V
130m옴 @ 6A, 10V
2.5V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 10 V
-
1W(Ta), 23W(Tc)
150°C
-
-
표면 실장
TO-252(MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-252AA
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
18,071
재고 있음
1 : ₩1,433.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩595.12000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
12A(Tc)
10V
135m옴 @ 6A, 10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±25V
900 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta), 44W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
4,961
재고 있음
1 : ₩1,759.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩729.86600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
12A(Tc)
10V
280m옴 @ 3.8A, 10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
SI5476DU-T1-GE3
SI5476DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
Vishay Siliconix
5,854
재고 있음
1 : ₩1,802.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩743.16467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
12A(Tc)
4.5V, 10V
34m옴 @ 4.6A, 10V
3V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta), 31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® CHIPFET™ 단일
PowerPAK® CHIPFET™ 단일
8-SOIC
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
onsemi
14,577
재고 있음
1 : ₩2,326.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,048.05480
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
12A(Tc)
6V, 10V
10m옴 @ 12A, 10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
TO-220AB
IRF9530PBF
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Vishay Siliconix
12,932
재고 있음
1 : ₩2,468.00000
튜브
-
튜브
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
12A(Tc)
10V
300m옴 @ 7.2A, 10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220AB
TO-220-3
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,450
재고 있음
1 : ₩2,695.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩1,215.74367
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
12A(Tc)
6V, 10V
213m옴 @ 1A, 4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,832
재고 있음
1 : ₩3,022.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩1,430.77400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
12A(Tc)
10V
280m옴 @ 3.8A, 10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
DPAK
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7,960
재고 있음
1 : ₩4,128.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,012.73800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
650 V
12A(Tc)
10V
299m옴 @ 6A, 10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-220-F
STF13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STMicroelectronics
2,937
재고 있음
1 : ₩5,164.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
800 V
12A(Tc)
10V
450m옴 @ 6A, 10V
5V @ 100µA
29 nC @ 10 V
±30V
870 pF @ 100 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220FP
TO-220-3 풀팩(Full Pack)
TO-247-3 HiP
STW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STMicroelectronics
597
재고 있음
1 : ₩14,540.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1200 V
12A(Tc)
10V
690m옴 @ 6A, 10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-247-3
TO-247-3
H2PAK
STH13N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,821
재고 있음
1 : ₩14,625.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩8,297.75300
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1200 V
12A(Tc)
10V
690m옴 @ 6A, 10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
H2PAK-2
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-220-3
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STMicroelectronics
950
재고 있음
1 : ₩15,264.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1200 V
12A(Tc)
10V
690m옴 @ 6A, 10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220
TO-220-3
H2PAK
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,022
재고 있음
1 : ₩15,420.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩9,764.99800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1200 V
12A(Tc)
10V
690m옴 @ 6A, 10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
H2PAK-2
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-247-3-PKG-Series
APT1201R2BFLLG
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Microchip Technology
109
재고 있음
1 : ₩38,159.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1200 V
12A(Tc)
-
1.25옴 @ 6A, 10V
5V @ 1mA
100 nC @ 10 V
-
2540 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
스루홀
TO-247 [B]
TO-247-3
보기
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12A(Tc) 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.