SIHD5N80AE-GE3
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SIHFR9120-GE3

DigiKey 제품 번호
742-SIHFR9120-GE3-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
SIHFR9120-GE3
제품 요약
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
제조업체 표준 리드 타임
20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
P채널 100 V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta), 42W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
600m옴 @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
2.5W(Ta), 42W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-252AA
패키지/케이스
기준 제품 번호
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재고: 534
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튜브
수량 단가 총액
1₩1,682.00000₩1,682
10₩1,056.70000₩10,567
100₩693.07000₩69,307
500₩536.89800₩268,449
1,000₩486.61000₩486,610
3,000₩422.71967₩1,268,159
6,000₩390.55133₩2,343,308
12,000₩363.51008₩4,362,121
제조업체 표준 포장
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