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등가 파라미터


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩3,962.43875
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 1,192
단가 : ₩7,501.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 39
단가 : ₩6,474.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 5,379
단가 : ₩9,793.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩4,764.05333

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩5,373.49000

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 8,658
단가 : ₩5,626.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 4,895
단가 : ₩6,265.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 835
단가 : ₩6,444.00000
규격서
TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB24N65ET5-GE3

DigiKey 제품 번호
SIHB24N65ET5-GE3-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
SIHB24N65ET5-GE3
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
제조업체 표준 리드 타임
25주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
145m옴 @ 12A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2740 pF @ 100 V
FET 특징
-
내전력(최대)
250W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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테이프 및 릴(TR)
수량 단가 총액
800₩3,962.43875₩3,169,951
제조업체 표준 포장