SI4462DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | 이산 반도체 제품

SI4462DY-T1-GE3은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

유사

Vishay Siliconix

재고 있음: 2,111

단가 : ₩3,423.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	1.15A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	480m옴 @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	9 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
FET 특징	-
내전력(최대)	1.3W(Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-SOIC
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
기준 제품 번호	SI4462