8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) 단일 FET, MOSFET

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FET 유형
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드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
2,132
재고 있음
1 : ₩920.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩213.94280
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
12.6A(Tc)
4.5V, 10V
19m옴 @ 9A, 10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
30,892
재고 있음
1 : ₩1,071.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩250.33800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
12A(Ta)
4.5V, 10V
11m옴 @ 12A, 10V
2.3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
542 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
Vishay Siliconix
20,790
재고 있음
1 : ₩1,101.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩264.91320
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
15.4A(Tc)
1.8V, 4.5V
14m옴 @ 9A, 4.5V
1V @ 250µA
99 nC @ 8 V
±8V
3250 pF @ 10 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
5,192
재고 있음
1 : ₩1,297.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩310.79867
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
20A(Ta)
4.5V, 10V
5.8m옴 @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
951 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
14,372
재고 있음
1 : ₩1,351.41530
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩305.10873
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
14A(Ta)
4.5V, 10V
8.7m옴 @ 14A, 10V
2.35V @ 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SO
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
46,454
재고 있음
1 : ₩1,357.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩326.57767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
10A(Ta)
4.5V, 10V
10m옴 @ 10A, 10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8 SO
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
8,099
재고 있음
1 : ₩1,357.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩324.24400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
9.2A(Ta)
4.5V, 10V
18m옴 @ 10A, 10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SO
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Vishay Siliconix
12,744
재고 있음
1 : ₩1,433.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩358.14400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
7.2A(Tc)
4.5V, 10V
45m옴 @ 5A, 10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 20 V
-
4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
onsemi
7,837
재고 있음
1 : ₩1,553.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩391.11480
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
8.2A(Ta)
4.5V, 10V
27m옴 @ 8.2A, 10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
1872 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
onsemi
24,096
재고 있음
1 : ₩1,614.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩411.32800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V, 10V
50m옴 @ 5.3A, 10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
528 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
66,531
재고 있음
1 : ₩1,644.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩417.51080
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
8.8A(Ta)
4.5V, 10V
20m옴 @ 8.8A, 10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
44,580
재고 있음
1 : ₩1,644.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩407.55200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
12A(Ta)
6V, 20V
11m옴 @ 12A, 20V
3V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
onsemi
14,298
재고 있음
1 : ₩1,719.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩441.71120
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3A(Ta)
4.5V, 10V
150m옴 @ 3A, 10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
732 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
55,279
재고 있음
1 : ₩1,734.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩433.97233
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
23A(Ta)
4.5V, 10V
3.7m옴 @ 20A, 10V
2.2V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
2010 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
onsemi
1,458
재고 있음
1 : ₩1,734.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩446.68160
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
8A(Ta)
2.5V, 4.5V
24m옴 @ 8A, 4.5V
1.5V @ 250µA
36 nC @ 4.5 V
±8V
2694 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Vishay Siliconix
1,919
재고 있음
1 : ₩1,749.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩452.20680
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
25.3A(Tc)
4.5V, 10V
6.2m옴 @ 12A, 10V
2.5V @ 250µA
167 nC @ 10 V
±25V
6630 pF @ 15 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
onsemi
20,983
재고 있음
7,500
공장
1 : ₩1,764.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩455.06600
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.5A(Ta)
2.5V, 4.5V
130m옴 @ 3.5A, 4.5V
1V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
22,165
재고 있음
1 : ₩1,779.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩432.45300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4.6A(Ta)
4.5V, 10V
70m옴 @ 4.6A, 10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SO
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
onsemi
6,065
재고 있음
1 : ₩1,825.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩472.14880
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
11A(Ta)
4.5V, 10V
12.5m옴 @ 11A, 10V
3V @ 250µA
16 nC @ 5 V
±20V
1205 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
AO4828
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
159,036
재고 있음
1 : ₩1,855.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩471.29533
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
6.2A(Ta)
4.5V, 10V
40m옴 @ 6.2A, 10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
onsemi
34,646
재고 있음
1 : ₩1,855.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩483.67000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
11A(Ta)
4.5V
13m옴 @ 11A, 4.5V
2V @ 250µA
49 nC @ 4.5 V
±12V
4766 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8 SO
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Diodes Incorporated
9,703
재고 있음
1 : ₩1,855.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩468.06520
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
9.1A(Ta)
4.5V, 10V
11m옴 @ 9.8A, 10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.45W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SO
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
1,307
재고 있음
1 : ₩1,870.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩485.37080
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
4.1A(Ta)
6V, 10V
67m옴 @ 4.1A, 10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta), 5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
61,356
재고 있음
1 : ₩1,885.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩410.93000
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
9.1A(Tj)
10V
24m옴 @ 9.1A, 10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
1.4W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Vishay Siliconix
47,264
재고 있음
1 : ₩1,885.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩492.89880
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
16.1A(Tc)
4.5V, 10V
15m옴 @ 10.2A, 10V
2.5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta), 6.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
보기
/ 1,935

단일 FET, MOSFET


단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

  • 인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
  • 공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

  1. 높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
  2. 낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
  3. 높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.