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사용 가능한 대체품:

직접


Vishay Siliconix
재고 있음: 1,812
단가 : ₩4,316.00000
규격서

등가 파라미터


Vishay Siliconix
재고 있음: 944
단가 : ₩4,316.00000
규격서

유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 424
단가 : ₩2,262.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩875.29300
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 699
단가 : ₩8,364.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩3,741.46600
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩4,944.23000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 2,468
단가 : ₩8,572.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 260
단가 : ₩6,771.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 348
단가 : ₩6,042.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 1,000
단가 : ₩4,628.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩1,455.91600
규격서
SIHP23N60E-GE3
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IRF830A

DigiKey 제품 번호
IRF830A-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IRF830A
제품 요약
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 500 V 5A(Tc) 74W(Tc) 스루홀 TO-220AB
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IRF830A 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.4옴 @ 3A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
74W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220AB
패키지/케이스
기준 제품 번호
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