Name: IPP60R199CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R199CPXKSA1-ND
Price: 8164 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 660µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 43 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1520 pF @ 100 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 139W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 PG-TO220-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 16A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPP60R199
Rds On(최대) @ Id, Vgs 199m옴 @ 9.9A, 10V

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환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(10)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
FCP190N60E	onsemi	1,429	FCP190N60EOS-ND	₩7,930.00000	유사
FCP190N65F	onsemi	569	FCP190N65F-ND	₩8,711.00000	유사
IRF830APBF	Vishay Siliconix	1,711	IRF830APBF-ND	₩6,150.00000	유사
IRFBC30APBF	Vishay Siliconix	732	IRFBC30APBF-ND	₩6,244.00000	유사
STP18N60M2	STMicroelectronics	266	497-13971-5-ND	₩4,746.00000	유사

재고: 507

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참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.

IPP60R199CPXKSA1