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직접

IRF610PBF
Vishay Siliconix
재고 있음: 4,092
단가 : ₩3,290.00000
규격서

유사

FQP4N20L
onsemi
재고 있음: 12
단가 : ₩2,687.00000
규격서

유사

IPP041N04NGXKSA1
Infineon Technologies
재고 있음: 516
단가 : ₩2,548.00000
규격서

유사

IPP042N03LGXKSA1
Rochester Electronics, LLC
재고 있음: 1,939
단가 : ₩1,351.35152
규격서

유사

IPP12CN10LGXKSA1
Rochester Electronics, LLC
재고 있음: 83,240
단가 : ₩1,633.50183
규격서

유사

IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
재고 있음: 1,375
단가 : ₩12,154.00000
규격서
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N채널 200 V 3.3A(Tc) 36W(Tc) 스루홀 TO-220AB
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IRF610

DigiKey 제품 번호
IRF610-ND
제조업체
Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호
IRF610
제품 요약
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 200 V 3.3A(Tc) 36W(Tc) 스루홀 TO-220AB
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IRF610 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Vishay Siliconix
계열
-
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.3A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.5옴 @ 2A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
36W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220AB
패키지/케이스
TO-220-3
기준 제품 번호
IRF610
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단종
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