FQP4N20L onsemi | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V
계열 QFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 310 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 45W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 200 V	공급 장치 패키지 TO-220-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 3.8A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V	기준 제품 번호 FQP4
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.35옴 @ 1.9A, 10V

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단종

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FQP4N20L