N채널 100 V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta), 43W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
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N채널 100 V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta), 43W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
TO-263-3

IRF510SPBF

DigiKey 제품 번호
IRF510SPBF-ND
제조업체
Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호
IRF510SPBF
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임
15주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta), 43W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IRF510SPBF 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Vishay Siliconix
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.6A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
540m옴 @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
3.7W(Ta), 43W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호
IRF510
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩3,135.00000₩3,135
50₩1,514.74000₩75,737
100₩1,356.14000₩135,614
500₩1,077.86800₩538,934
1,000₩988.35400₩988,354
2,000₩913.08800₩1,826,176
5,000₩831.66240₩4,158,312
10,000₩830.11500₩8,301,150
제조업체 표준 포장
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