TK65G10N1,RQ은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 4,198
단가 : ₩3,868.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 22
단가 : ₩7,950.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 49
단가 : ₩6,620.00000
규격서
N채널 100 V 65A(Ta) 156W(Tc) 표면 실장 D2PAK
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N채널 100 V 65A(Ta) 156W(Tc) 표면 실장 D2PAK
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

DigiKey 제품 번호
TK65G10N1RQTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
TK65G10N1,RQ
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 65A(Ta) 156W(Tc) 표면 실장 D2PAK
EDA/CAD 모델
TK65G10N1,RQ 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.5m옴 @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
5400 pF @ 50 V
FET 특징
-
내전력(최대)
156W(Tc)
작동 온도
150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
D2PAK
패키지/케이스
기준 제품 번호
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