STS12NF30L은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Vishay Siliconix
재고 있음: 10,822
단가 : ₩1,992.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 1,924
단가 : ₩1,730.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 12,605
단가 : ₩2,008.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 19,865
단가 : ₩2,239.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 962
단가 : ₩1,822.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 1,938
단가 : ₩3,676.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 35,428
단가 : ₩1,529.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 1,409
단가 : ₩3,243.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 4,504
단가 : ₩4,340.00000
규격서
N채널 30 V 12A(Tc) 2.5W(Ta) 표면 실장 8-SOIC
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STS12NF30L

DigiKey 제품 번호
497-3223-2-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
STS12NF30L
제품 요약
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 30 V 12A(Tc) 2.5W(Ta) 표면 실장 8-SOIC
EDA/CAD 모델
STS12NF30L 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
9m옴 @ 6A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
2.5W(Ta)
작동 온도
150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
8-SOIC
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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