Name: SCTWA90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA90N65G2V-ND
Price: 42013 KRW
Availability: InStock

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SCTWA90N65G2V
DigiKey 제품 번호	497-SCTWA90N65G2V-ND
제조업체	STMicroelectronics
제조업체 제품 번호	SCTWA90N65G2V
제품 요약	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
제조업체 표준 리드 타임	17주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 119A(Tc) 565W(Tc) 스루홀 TO-247 긴 리드(Lead)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SCTWA90N65G2V 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	STMicroelectronics
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	119A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	24m옴 @ 50A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+22V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	3380 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	565W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 200°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247 긴 리드(Lead)
패키지/케이스	TO-247-3
기준 제품 번호	SCTWA90