


QS8M31TR | |
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DigiKey 제품 번호 | QS8M31TR-ND - 테이프 및 릴(TR) QS8M31CT-ND - 컷 테이프(CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | QS8M31TR |
제품 요약 | MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 |
제조업체 표준 리드 타임 | 16주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 60V 3A(Ta), 2A(Ta) 1.1W(Ta) 표면 실장 TSMT8 |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | N 및 P 채널 | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta), 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 112m옴 @ 3A, 10V, 210m옴 @ 2A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.1W(Ta) | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩1,816.00000 | ₩1,816 |
| 10 | ₩1,140.00000 | ₩11,400 |
| 100 | ₩751.26000 | ₩75,126 |
| 500 | ₩583.83600 | ₩291,918 |
| 1,000 | ₩529.93200 | ₩529,932 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 3,000 | ₩461.45867 | ₩1,384,376 |
| 6,000 | ₩426.98600 | ₩2,561,916 |
| 9,000 | ₩409.42644 | ₩3,684,838 |
| 15,000 | ₩394.38360 | ₩5,915,754 |
