Name: QS8J4TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J4TR-ND
Price: 2441 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

QS8J4TR
DigiKey 제품 번호	QS8J4TR-ND - 테이프 및 릴(TR) QS8J4CT-ND - 컷 테이프(CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	QS8J4TR
제품 요약	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 30V 4A 550mW 표면 실장 TSMT8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	QS8J4TR 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 P 채널(이중)
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	4A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	56m옴 @ 4A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	13nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	800pF @ 10V
전력 - 최대	550mW
작동 온도	150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지	TSMT8
기준 제품 번호	QS8J4