MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 447A(Tc) 1450W(Tc) 섀시 실장 모듈
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BSM450D12P4G102

DigiKey 제품 번호
846-BSM450D12P4G102-ND
제조업체
Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호
BSM450D12P4G102
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V 447A MODULE
제조업체 표준 리드 타임
27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 447A(Tc) 1450W(Tc) 섀시 실장 모듈
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Rohm Semiconductor
계열
-
포장
박스
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N-Chan(이중)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
447A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(th)(최대) @ Id
4.8V @ 218.4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
44000pF @ 10V
전력 - 최대
1450W(Tc)
작동 온도
175°C(TJ)
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
모듈
기준 제품 번호
BSM450
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제조업체 표준 포장