MOSFET - 어레이 20V 3.1A 700mW 표면 실장 6-MicroFET(2x2)
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FDMA1025P

DigiKey 제품 번호
2156-FDMA1025P-ND
제조업체
Fairchild Semiconductor
제조업체 제품 번호
FDMA1025P
제품 요약
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 20V 3.1A 700mW 표면 실장 6-MicroFET(2x2)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Fairchild Semiconductor
계열
포장
벌크
부품 현황
활성
기술
MOSFET(금속 산화물)
구성
2 P 채널(이중)
FET 특징
논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.1A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
155m옴 @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.8nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
450pF @ 10V
전력 - 최대
700mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
6-VDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지
6-MicroFET(2x2)
기준 제품 번호
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