N 채널, 편향 모드 1000 V 1.6A(Tc) 100W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
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N 채널, 편향 모드 1000 V 1.6A(Tc) 100W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
TO-252AA

IXTY1R6N100D2

DigiKey 제품 번호
238-IXTY1R6N100D2-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXTY1R6N100D2
제품 요약
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
제조업체 표준 리드 타임
32주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N 채널, 편향 모드 1000 V 1.6A(Tc) 100W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IXTY1R6N100D2 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
Depletion
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N 채널, 편향 모드
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.6A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs
10옴 @ 800mA, 0V
Vgs(th)(최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
645 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
100W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-252AA
패키지/케이스
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호
IXTY1
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재고: 900
공장 재고: 1,680
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩6,972.00000₩6,972
70₩3,434.57143₩240,420
140₩3,134.03571₩438,765
560₩2,668.59821₩1,494,415
1,050₩2,505.26286₩2,630,526
2,030₩2,488.90739₩5,052,482
제조업체 표준 포장
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