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N채널 650 V 20A(Tc) 320W(Tc) 표면 실장 TO-263AA
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IXTA20N65X

DigiKey 제품 번호
IXTA20N65X-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXTA20N65X
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 20A TO263
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 20A(Tc) 320W(Tc) 표면 실장 TO-263AA
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
Ultra X
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
210m옴 @ 10A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
5.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1390 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
320W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263AA
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호
IXTA20
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