


SIHB15N60E-GE3 | |
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DigiKey 제품 번호 | SIHB15N60E-GE3-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIHB15N60E-GE3 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK |
제조업체 표준 리드 타임 | 25주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 600 V 15A(Tc) 180W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK) |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 78 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±30V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 1350 pF @ 100 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 180W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2PAK) | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩6,102.00000 | ₩6,102 |
| 10 | ₩4,010.80000 | ₩40,108 |
| 100 | ₩2,823.49000 | ₩282,349 |
| 500 | ₩2,316.56400 | ₩1,158,282 |
| 1,000 | ₩2,153.79600 | ₩2,153,796 |
| 2,000 | ₩2,083.53600 | ₩4,167,072 |






