238~SOT227B~~4
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IXFN82N60Q3

DigiKey 제품 번호
IXFN82N60Q3-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXFN82N60Q3
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
제조업체 표준 리드 타임
27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 66A(Tc) 960W(Tc) 섀시 실장 SOT-227B
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
HiPerFET™, Q3 Class
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
66A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
75m옴 @ 41A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
6.5V @ 8mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
13500 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
960W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
섀시 실장
공급 장치 패키지
SOT-227B
패키지/케이스
SOT-227-4, miniBLOC
기준 제품 번호
IXFN82
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재고: 290
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩87,375.00000₩87,375
10₩66,697.00000₩666,970
100₩64,628.91000₩6,462,891
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.
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