SPA06N60C3XKSA1은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩14.52000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 976
단가 : ₩35.41000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 720
단가 : ₩15.09000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩7.17499
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 992
단가 : ₩29.37000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 772
단가 : ₩31.17000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,958
단가 : ₩16.15000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 399
단가 : ₩33.69000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 958
단가 : ₩42.59000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 37
단가 : ₩18.68000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 40
단가 : ₩19.91000
규격서
PG-TO220-3-31
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SPA06N60C3XKSA1

DigiKey 제품 번호
SPA06N60C3XKSA1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
SPA06N60C3XKSA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 6.2A(Tc) 32W(Tc) 스루홀 PG-TO220-3-31
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
SPA06N60C3XKSA1 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
750m옴 @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.9V @ 260µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
32W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
PG-TO220-3-31
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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