Infineon Technologies 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

검색 결과 : 7,557
계열
-*CoolGaN™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ 5CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
포장
Digi-Reel®박스벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)테이프 및 박스(TB)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
12 V14 V15 V20 V24 V25 V28 V30 V34 V40 V49 V50 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
21mA(Ta)90mA(Ta)100mA(Ta)110mA(Ta)120mA(Ta)140mA(Ta)150mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)210mA(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V, 10V0V, 18V1.8V, 2.5V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.7V, 10V2.7V, 4.5V2.8V, 10V2.8V, 4.5V3.3V, 10V4V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.29m옴 @ 50A, 10V0.35m옴 @ 50A, 10V0.36mOhm @ 100A, 10V0.39m옴 @ 100A, 10V0.4m옴 @ 150A, 10V0.42m옴 @ 50A, 10V0.44m옴 @ 88A, 10V0.45m옴 @ 30A, 10V0.45m옴 @ 30A, 7V0.45m옴 @ 50A, 10V0.47m옴 @ 100A, 10V0.47m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
600mV @ 250µA(최소)600mV @ 500µA(최소)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(최소)750mV @ 11µA750mV @ 3.7µA750mV @ 30µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA950mV @ 3.7µA1V @ 100µA1V @ 108µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.59 nC @ 10 V0.6 nC @ 2.5 V0.6 nC @ 5 V0.6 nC @ 10 V0.62 nC @ 4.5 V0.63 nC @ 10 V0.65 nC @ 10 V0.67 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
-10V+5V, -16V+7V, -10V±7V±8V±10V±12V±14V15V, 12V±16V+18V, -15V+20V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
15 pF @ 50 V18 pF @ 30 V19 pF @ 25 V19.1 pF @ 25 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21 pF @ 25 V28 pF @ 25 V32 pF @ 25 V32 pF @ 30 V39 pF @ 25 V41 pF @ 15 V
FET 특징
-공핍 모드쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)온도 감지 다이오드전류 감지
내전력(최대)
250mW(Ta)300mW(Ta)300mW(Tc)360mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)500mW(Tc)520mW(Ta)540mW(Ta)560mW(Ta)1W(Ta)1.25W(Ta)
작동 온도
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)0°C ~ 150°C(TJ)175°C
등급
-자동차
인증
-AEC-Q100AEC-Q101
실장 유형
-섀시 실장스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
공급 장치 패키지
4-FlipFet™6-PQFN 이중(2x2)6-PQFN(2x2)6-PQFN(2x2)(DFN2020)6-TSOP8-PQFN-Dual(3.3x3.3)8-PQFN(3.1x3.1)8-PQFN(3.3x3.3), Power338-PQFN(3x3)8-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC
패키지/케이스
3-WDSON4-FlipFet™4-PowerLSFN4-PowerSFN4-PowerTSFN5-PowerSFN6-PowerVDFN6-VSSOP, SC-88, SOT-3638-LDFN 노출형 패드8-PowerSFN8-PowerSMD, 갈매기날개형8-PowerTDFN
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
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포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
572,355
재고 있음
1 : ₩304.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩64.93667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V, 10V
160m옴 @ 1.4A, 10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
192,147
재고 있음
1 : ₩318.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩65.83567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
300mA(Ta)
4.5V, 10V
3옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
91,491
재고 있음
1 : ₩401.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩84.64267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
230mA(Ta)
4.5V, 10V
3.5옴 @ 230mA, 10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
154,462
재고 있음
1 : ₩443.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩94.25133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
190mA(Ta)
4.5V, 10V
6옴 @ 190mA, 10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
26,759
재고 있음
1 : ₩470.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩99.03700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
540mA(Ta)
4.5V, 10V
650m옴 @ 270mA, 10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
101,227
재고 있음
1 : ₩484.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.05400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
330mA(Ta)
4.5V, 10V
2옴 @ 330mA, 10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
68,580
재고 있음
1 : ₩484.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩131.18267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
760mA(Ta)
4.5V, 10V
600m옴 @ 600mA, 10V
1V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
368,850
재고 있음
1 : ₩498.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩84.28767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
170mA(Ta)
4.5V, 10V
8옴 @ 170mA, 10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
155,364
재고 있음
1 : ₩498.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩107.19333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V, 4.5V
140m옴 @ 1.5A, 4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
421,345
재고 있음
1 : ₩526.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.08900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6.3A(Ta)
2.5V, 4.5V
21m옴 @ 6.3A, 4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS214NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
274,581
재고 있음
1 : ₩526.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩113.53300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V, 4.5V
140m옴 @ 1.5A, 4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
185,605
재고 있음
1 : ₩553.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩123.03100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V, 10V
27m옴 @ 5.2A, 10V
2.3V @ 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
86,536
재고 있음
1 : ₩553.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩149.33033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V, 4.5V
50m옴 @ 4.3A, 4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
59,249
재고 있음
1 : ₩553.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩122.53300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
1.5A(Ta)
4.5V, 10V
140m옴 @ 1.5A, 10V
2V @ 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
25,952
재고 있음
1 : ₩553.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.59133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
240 V
110mA(Ta)
4.5V, 10V
14옴 @ 100mA, 10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
180,545
재고 있음
1 : ₩595.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩158.73133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
780mA(Ta)
2.7V, 4.5V
600m옴 @ 610mA, 4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
191,448
재고 있음
1 : ₩609.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.13700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.1A(Ta)
2.5V, 4.5V
46m옴 @ 4.1A, 4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
116,090
재고 있음
1 : ₩622.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩136.19900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
1.2A(Ta)
4.5V, 10V
250m옴 @ 910mA, 10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
66,996
재고 있음
1 : ₩636.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩140.43633
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V, 4.5V
63m옴 @ 3.4A, 4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
42,881
재고 있음
1 : ₩636.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩140.63467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
21mA(Ta)
4.5V, 10V
500옴 @ 16mA, 10V
2.6V @ 8µA
1 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
8,903
재고 있음
1 : ₩636.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩173.37967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3A(Ta)
4.5V, 10V
98m옴 @ 3A, 10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
38,878
재고 있음
1 : ₩678.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩151.01300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2.3A(Ta)
4.5V, 10V
57m옴 @ 2.3A, 10V
2V @ 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
21,620
재고 있음
1 : ₩719.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩159.10033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
25 V
5.8A(Ta)
4.5V, 10V
24m옴 @ 5.8A, 10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
57,108
재고 있음
1 : ₩733.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩162.77967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
1.2A(Ta)
2.7V, 4.5V
250m옴 @ 930mA, 4.5V
700mV @ 250µA(최소)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
21,817
재고 있음
1 : ₩733.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩164.37933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
1.2A(Ta)
4.5V, 10V
480m옴 @ 1.2A, 10V
2.5V @ 25µA
0.67 nC @ 4.5 V
±16V
64 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
보기
/ 7,557

Infineon Technologies 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.