


ISG0616N10NM5HSCATMA1 | |
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DigiKey 제품 번호 | 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | ISG0616N10NM5HSCATMA1 |
제품 요약 | MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN |
제조업체 표준 리드 타임 | 18주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 100V 19A(Ta), 139A(Tc) 3W(Ta), 167W(Tc) 표면 실장 PG-WHITFN-10-1 |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 139A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 50A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 3.8V @ 85µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 4800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3W(Ta), 167W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 10-PowerWDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-WHITFN-10-1 |
수량 | 단가 | 총액 |
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1 | ₩8,303.00000 | ₩8,303 |
10 | ₩5,543.00000 | ₩55,430 |
100 | ₩3,979.31000 | ₩397,931 |
500 | ₩3,878.41600 | ₩1,939,208 |
수량 | 단가 | 총액 |
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3,000 | ₩3,168.65267 | ₩9,505,958 |