N채널 100 V 4.2A(Ta), 19A(Tc) 2.2W(Ta), 42W(Tc) 표면 실장 DIRECTFET™ SH
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IRF6665TRPBF

DigiKey 제품 번호
IRF6665TRPBFTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
IRF6665TRPBF
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 4.2A(Ta), 19A(Tc) 2.2W(Ta), 42W(Tc) 표면 실장 DIRECTFET™ SH
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IRF6665TRPBF 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
62m옴 @ 5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
2.2W(Ta), 42W(Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
DIRECTFET™ SH
패키지/케이스
기준 제품 번호
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