IPP126N10N3GXKSA1은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 514
단가 : ₩4,152.00000
규격서

유사


Texas Instruments
재고 있음: 362
단가 : ₩3,244.00000
규격서

유사


Diotec Semiconductor
재고 있음: 794
단가 : ₩3,572.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 800
단가 : ₩4,911.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 1,347
단가 : ₩5,075.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 2,130
단가 : ₩3,929.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩5,655.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 9,902
단가 : ₩5,581.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 23
단가 : ₩6,429.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 28
단가 : ₩4,435.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 17,875
단가 : ₩7,158.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 595
단가 : ₩6,176.00000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 33
단가 : ₩2,857.00000
규격서
PG-TO220-3-1
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IPP126N10N3GXKSA1

DigiKey 제품 번호
IPP126N10N3GXKSA1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IPP126N10N3GXKSA1
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 58A(Tc) 94W(Tc) 스루홀 PG-TO220-3
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IPP126N10N3GXKSA1 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
12.3m옴 @ 46A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 46µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2500 pF @ 50 V
FET 특징
-
내전력(최대)
94W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
PG-TO220-3
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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