Name: TK35E08N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK35E08N1,S1X-ND
Price: 3226 KRW
Availability: InStock

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TK35E08N1,S1X
DigiKey 제품 번호	264-TK35E08N1,S1X-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK35E08N1,S1X
제품 요약	MOSFET N-CH 80V 55A TO220
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 80 V 55A(Tc) 72W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK35E08N1,S1X 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 300µA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 25 nC @ 10 V
계열 U-MOSVIII-H	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1700 pF @ 40 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 72W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 80 V	공급 장치 패키지 TO-220
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 55A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 TK35E08
Rds On(최대) @ Id, Vgs 12.2m옴 @ 17.5A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPP12CN10LGXKSA1	Rochester Electronics, LLC	83,240	2156-IPP12CN10LGXKSA1-ND	₩1,617.00000	유사
IRF8010PBF	Infineon Technologies	1,224	IRF8010PBF-ND	₩4,693.00000	유사

재고: 32

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TK35E08N1,S1X