Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 6355 KRW
Availability: InStock

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STMicroelectronics

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단가 : ₩8,319.00000

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IPB80N06S2H5ATMA2
DigiKey 제품 번호	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - 컷 테이프(CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB80N06S2H5ATMA2
제품 요약	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
제조업체 표준 리드 타임	9주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 55 V 80A(Tc) 300W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB80N06S2H5ATMA2 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	80A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	5.2m옴 @ 80A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 230µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	4400 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	300W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-TO263-3-2
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	IPB80N