


IPB65R280C6ATMA1 | |
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DigiKey 제품 번호 | IPB65R280C6ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | IPB65R280C6ATMA1 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 650 V 13.8A(Tc) 104W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3 |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±20V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 950 pF @ 100 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 104W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |