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유사


Infineon Technologies
재고 있음: 3,758
단가 : ₩3,571.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 3,937
단가 : ₩4,247.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩4,894.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩2,745.06300
규격서
PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R280C6ATMA1

DigiKey 제품 번호
IPB65R280C6ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
IPB65R280C6ATMA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 13.8A(Tc) 104W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
280m옴 @ 4.4A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 440µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET 특징
-
내전력(최대)
104W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지/케이스
기준 제품 번호
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