Name: IPB029N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3GATMA1TR-ND
Price: 5667 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IPB029N06N3GATMA1
DigiKey 제품 번호	IPB029N06N3GATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPB029N06N3GATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPB029N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB029N06N3GATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 120A(Tc) 188W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB029N06N3GATMA1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 118µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 165 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 13000 pF @ 30 V
부품 현황 최종 구매 가능일	내전력(최대) 188W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 120A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPB029
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.9m옴 @ 100A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(8)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPB029N06NF2SATMA1	Infineon Technologies	1,337	448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND	₩5,073.00000	제조업체 추천
IRFS3206TRRPBF	Infineon Technologies	0	IRFS3206TRRPBFCT-ND	₩6,213.00000	유사
BUK763R1-60E,118	Nexperia USA Inc.	7,783	1727-7252-1-ND	₩6,775.00000	유사
FDB029N06	onsemi	16,133	FDB029N06TR-ND	₩7,099.73016	유사
FDB035AN06A0	onsemi	4,635	FDB035AN06A0CT-ND	₩10,693.00000	유사

재고: 2,461

추가 입고 예정인 재고 확인

구매 가능한 마지막 날짜: 2026. 9. 30.

수량

모든 가격은 KRW 기준입니다.

컷 테이프(CT) & Digi-Reel®

* 모든 Digi-Reel 주문에는 ₩8,000 릴링 요금이 추가됩니다.

테이프 및 릴(TR)