Name: IPB120N06S403ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB120N06S403ATMA2TR-ND
Price: 6853 KRW
Availability: InStock

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IPB120N06S403ATMA2
DigiKey 제품 번호	448-IPB120N06S403ATMA2TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IPB120N06S403ATMA2CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IPB120N06S403ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB120N06S403ATMA2
제품 요약	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
제조업체 표준 리드 타임	18주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 120A(Tc) 167W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB120N06S403ATMA2 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 160 nC @ 10 V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(최대) ±20V
계열 OptiMOS™	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 13150 pF @ 25 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	내전력(최대) 167W(Tc)
부품 현황 활성	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 120A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TO263-3-2
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.2m옴 @ 100A, 10V	기준 제품 번호 IPB120
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 120µA

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