Name: IPB029N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 5073 KRW
Availability: InStock

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IPB029N06NF2SATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IPB029N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB029N06NF2SATMA1
제품 요약	TRENCH 40<-<100V
제조업체 표준 리드 타임	25주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 26A(Ta), 120A(Tc) 3.8W(Ta), 150W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB029N06NF2SATMA1 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.3V @ 80µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 102 nC @ 10 V
계열 StrongIRFET™2	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4600 pF @ 30 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3.8W(Ta), 150W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 26A(Ta), 120A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 IPB029
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.9m옴 @ 70A, 10V

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제조업체 표준 포장

IPB029N06NF2SATMA1