BSC200P03LSGAUMA1 Infineon Technologies | 이산 반도체 제품

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BSC200P03LSGAUMA1
DigiKey 제품 번호	BSC200P03LSGAUMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSC200P03LSGAUMA1
제품 요약	MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 30 V 9.9A(Ta), 12.5A(Tc) 2.5W(Ta), 63W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-1
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	P채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	9.9A(Ta), 12.5A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	20m옴 @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.2V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	48.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±25V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2430 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.5W(Ta), 63W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-TDSON-8-1
패키지/케이스	8-PowerTDFN