Name: BSC010NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSATMA1TR-ND
Price: 3195 KRW
Availability: OutOfStock

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Texas Instruments

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BSC010NE2LSATMA1
DigiKey 제품 번호	BSC010NE2LSATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) BSC010NE2LSATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) BSC010NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	BSC010NE2LSATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 25 V 39A(Ta), 100A(Tc) 2.5W(Ta), 96W(Tc) 표면 실장 PG-TDSON-8-7
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	BSC010NE2LSATMA1 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 64 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4700 pF @ 12 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 2.5W(Ta), 96W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 25 V	공급 장치 패키지 PG-TDSON-8-7
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 39A(Ta), 100A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerTDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 BSC010
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1m옴 @ 30A, 10V

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문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
CSD16556Q5B	Texas Instruments	4,351	296-35627-1-ND	₩5,351.00000	유사
CSD17573Q5B	Texas Instruments	5,908	296-39836-1-ND	₩3,577.00000	유사
CSD17573Q5BT	Texas Instruments	1,056	296-47320-1-ND	₩4,648.00000	유사
PJQ5424_R2_00001	Panjit International Inc.	2,165	3757-PJQ5424_R2_00001CT-ND	₩1,773.00000	유사

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