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유사


Infineon Technologies
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유사


IXYS
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유사


IXYS
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단가 : ₩12.39000
규격서

유사


Vishay Siliconix
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단가 : ₩6.19000
규격서

유사


Vishay Siliconix
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N채널 100 V 12A(Ta), 150A(Tc) 1.9W(Ta), 333W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
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AOB410L

DigiKey 제품 번호
785-AOB410L-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
AOB410L
제품 요약
MOSFET N-CH 100V TO263
제조업체 표준 리드 타임
20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 12A(Ta), 150A(Tc) 1.9W(Ta), 333W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
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제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
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제조업체
계열
포장
벌크
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
7V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6.5m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
129 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
7950 pF @ 50 V
FET 특징
-
내전력(최대)
1.9W(Ta), 333W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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벌크
수량 단가 총액
800₩2,905.86625₩2,324,693
제조업체 표준 포장