IXTA180N10T은(는) 품절되어 재고가 없으며 백오더가 가능합니다.
사용 가능한 대체품:

유사

BUK964R4-40B,118
Nexperia USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사

IRFS4310TRLPBF
Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사

IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
재고 있음: 153
단가 : ₩4,911.00000
규격서

유사

PSMN009-100B,118
Nexperia USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사

PSMN6R5-80BS,118
Nexperia USA Inc.
재고 있음: 2,672
단가 : ₩4,819.00000
규격서

유사

PSMN7R0-100BS,118
Nexperia USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩5,127.00000
규격서

유사

PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩6,162.00000
규격서

유사

STB100N10F7
STMicroelectronics
재고 있음: 639
단가 : ₩4,710.00000
규격서
모든 대체품 보기 및 비교
N채널 100 V 180A(Tc) 480W(Tc) 표면 실장 TO-263AA
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IXTA180N10T

DigiKey 제품 번호
IXTA180N10T-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXTA180N10T
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
제조업체 표준 리드 타임
23주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 180A(Tc) 480W(Tc) 표면 실장 TO-263AA
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
Trench
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6.4m옴 @ 25A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
6900 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
480W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263AA
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호
IXTA180
제품 관련 질문 및 답변

엔지니어의 질문을 확인하거나, 직접 질문하거나, DigiKey 엔지니어링 커뮤니티의 회원을 도와주세요.

0 재고
리드 타임 확인
재고 알림 요청
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
수량 단가 총액
1₩10,471.00000₩10,471
50₩5,599.38000₩279,969
100₩5,128.64000₩512,864
500₩4,304.52000₩2,152,260
1,000₩4,254.05000₩4,254,050
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.