STripFET F7 계열 전력 MOSFET

다이 영역당 매우 낮은 온스테이드 저항을 특징으로 하는 STMicroelectronics MOSFET

STMicroelectronics의 STripFET F7 계열 전력 MOSFET 이미지ST의 STripFET F7 계열 저전압 MOSFET은 더 빠르고 효율적인 스위칭을 위해 내부 정전 용량 및 게이트 전하를 줄이면서도 장치 온스테이트 저항을 낮추는 향상된 트렌치 게이트 구조가 특징입니다. 뛰어난 성능 지수(FoM) 및 높은 애벌런치 내구성으로 인해 전기 통신 또는 컴퓨팅 시스템, 태양광 인버터, 산업 자동화 및 자동차 응용 제품과 같은 응용 분야에서 신뢰성을 향상하면서 설계를 간소화하고 장비 크기와 비용을 줄이도록 돕습니다.

이전 STripFET F4 및 F3 계열에 비해 새로운 F7 계열은 다이 영역당 매우 낮은 온스테이트 저항이 특징입니다. 이로 인해 병렬 장치의 수를 감소시켜 높은 전력 설계를 위한 설계자의 필요를 간소화합니다.

고전류 모터 제어 설계를 위한 H2PAK의 80V STripFET F7 MOSFET은 1.7mΩ 온스테이트 저항, 최대 200A 전류 기능을 제공합니다.

고전류(최대 200A), 낮은 열 저항 2리드 및 6리드 H2PAK 패키지로 조립된 ST의 최신 80V STripFET F7 MOSFET을 사용하여 다음 고전류 모터 제어 설계의 효율을 향상합니다. 이 제품은 매우 낮은 온스테이트 저항(1.7 mΩ)을 최적화된 스위칭 동작과 결합하여, 견고한 설계(STH270N8F7-2 및 STH270N8F7-6)를 위한 엄격한 효율 요구 사항, 우수한 EMI 성능 및 높은 애벌런치 내구성을 충족합니다.

특징 및 이점

  • 시중에서 가장 낮은 RDS(ON)
  • 향상된 시스템 효율과 더 콤팩트한 설계를 위한 최소 RDS(ON) x Qg
  • EMI 내성을 위한 가장 낮은 Crss/Ciss 비율
  • 높은 애벌런치 내구성

StripFET F7 Series Power MOSFETs

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MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2STH140N8F7-2MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2448 - 즉시$3.44세부 정보 보기
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2STH150N10F7-2MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2150 - 즉시$4.07세부 정보 보기
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2STH310N10F7-2MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-25517 - 즉시$6.16세부 정보 보기
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLATSTL110N10F7MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT82 - 즉시$3.20세부 정보 보기
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLATSTL130N8F7MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT10174 - 즉시$3.46세부 정보 보기

60 V STripFET F7 MOSFETs

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MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABSTP130N6F7MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB739 - 즉시$2.38세부 정보 보기
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MOSFET N-CH 60V 46A TO220FPSTF100N6F7MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP299 - 즉시$1.77세부 정보 보기
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MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLATSTL90N6F7MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT23162 - 즉시$2.36세부 정보 보기
게시 날짜: 2015-04-27