GD3100 IGBT 게이트 구동 IC

저전압 및 고전압 영역의 안전 제어에 대해 ISO26262 ASIL D 기능 안전 인증을 받은 NXP의 IGBT 게이트 구동 IC

NXP의 GD3100 IGBT 게이트 구동 IC 이미지NXP의 MC33GD3100은 IGBT 및 SiC 전력 MOSFET을 위한 고급 단일 채널 게이트 구동기입니다. 통합 전기적 분리, 낮은 온 저항 구동 트랜지스터(높은 충전 및 방전 전류 제공), 낮은 동적 포화 전압, 레일 투 레일 게이트 전압 제어 기능이 있으므로 비용과 공간을 절약할 수 있습니다. 전류 및 온도 감지 기능은 고장 시에 IGBT의 스트레스를 최소화할 수 있습니다. 정확하고 구성 변경 가능한 저전압 차단(UVLO) 기능 덕분에 게이트 구동 전압의 여유를 충분히 확보하면서 보호 기능을 제공합니다. MC33GD3100은 심각한 오류를 자율적으로 관리하고 INTB 핀과 SPI 인터페이스를 통해 오류와 상태를 보고합니다. 대부분의 IGBT 및 SiC MOSFET의 게이트를 직접 구동할 수 있습니다. 신뢰성 높은 ASIL C/D 시스템 설계를 위한 자체 테스트, 제어 및 보호 기능이 포함되어 있습니다.

특징
  • 기능 안전: ISO 26262 ASIL D 최고 수준의 안전 인증
    • 주기 별 폐쇄 루프 게이트 모니터링
    • 전원 공급 장치, 아날로그 및 디지털 자체 점검
    • 강제 부동 시간 제어
    • 별도의 고장 방지 핀
    • IGBT 또는 SiC 소자의 빠른 차단
  • 프로그래밍 가능한 SPI로 유연성 확보
    • 모든 IGBT 및 SiC 제조업체의 제품에 맞게 구성 변경 가능
  • 고집적을 통한 BOM 비용 절감 및 공간 절약
    • 전류 감지
    • 온도 감지
    • VDE-SAT
    • 게이트 파형 생성을 위한 세그먼트 구동
    • 소프트 셧다운을 통한 2단계 전원 끄기
    • 능동 Miller 클램프
응용 분야
  • 차량용
    • 하이브리드 완전 전기 자동차 모터 구동 인버터
    • 전기 자동차 DC-DC 부스트 회로
    • 충전 스테이션

GD3100 IGBT Gate Drive ICs

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게시 날짜: 2020-03-19