TO-220 패키지의 100W RF 전력 트랜지스터

산업 표준 패키지 유형 및 다중 핀아웃 옵션으로 제조 공정을 간소화한 NXP의 RF LDMOS 트랜지스터

TO-220 패키지로 제공되는 NXP의 100W RF 전력 트랜지스터 이미지NXP의 MRF101AN 및 MRF101BN 100W RF 전력 트랜지스터는 VHF/UHF 통신, VHF TV 방송 및 우주 항공 응용 제품뿐만 아니라 산업, 과학 및 의료 응용 제품에 사용할 수 있도록 설계되었습니다. 이 장치는 매우 견고하며 최대 250MHz의 높은 성능을 구현합니다.

TO-220 전력 패키지의 RF 트랜지스터에 LDMOS 기술이 구현되어 이를 통해 고객은 안정적인 조립 공정을 활용할 수 있습니다. 이 트랜지스터는 1.8MHz ~ 250MHz에서 재사용할 수 있는 매우 콤팩트한 레퍼런스 회로로 제공되므로 상당한 비용 절감 및 출시 기간 단축이 가능합니다.

TO-220 패키지로 제공되는 NXP의 100W RF 전력 트랜지스터 이미지

동영상: RF 전력에 표준 패키지를 도입하는 NXP

특징
  • 100W의 정격 전력(지속파)
  • 1.8MHz ~ 250MHz
  • 50V의 LDMOS
  • 탁월한 입력 및 출력
  • 1.1°C/W의 열 저항
  • 뛰어난 견고성: 65:1의 VSWR 처리
  • 최소 2033년까지 유효한 보증 기간
  • 저비용, 유연한 실장 옵션을 제공하는 표준 TO-220 오버몰드 플라스틱 패키지
  • 동일한 PCB 레이아웃을 공유하여 주파수 전체의 설계 재사용이 가능한 레퍼런스 회로
  • 푸시풀 설계를 지원하는 미러링 핀 구성
응용 분야
  • 산업, 과학, 의료(ISM)
    • 레이저 생성
    • 플라즈마 에칭
    • 입자 가속기
    • MRI 및 기타 의료 응용 제품
    • 산업 가열, 용접, 건조
  • 방송
    • 라디오 방송
    • VHF TV 방송
  • 이동 무선 통신
    • VHF 기지국
  • HF 및 VHF 통신
  • 스위치 모드 전원 공급 장치

100 W RF Power Transistors in TO-220 Package

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게시 날짜: 2019-01-04