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EPC의 11mm x 12mm 크기 개발 기판은 기판 실장형 Texas Instruments LM5113 게이트 구동기를 포함하는 하프브리지 구성에서 정렬된 2개의 강화 모드(eGaN®) 전계 효과 트랜지스터(FET)를 포함합니다. 이 개발 기판의 목적은 레이아웃을 최적화하고 기존 컨버터에 쉽게 연결할 수 있는 단일 기판에 모든 중요 부품을 포함하여 평가 공정을 단순화하는 것입니다.
방열판 및 강제 공랭을 추가로 이 장치의 정격 전류를 상당히 향상시킬 수 있지만 설정된 최대 150°C의 다이 온도를 초과하지 않도록 주의해야 합니다.
| 응용 분야 | 이점 |
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게시 날짜: 2025-01-29
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