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LM5113 하프브리지 게이트 구동기
강화 모드 GaN FET를 위한 Texas Instruments의 LM5113 100V 1.2A/5A, 하프브리지 게이트 구동기
Texas Instruments의 LM5113은 동기식 벅 또는 하프브리지 구성의 하이사이드 및 로우사이드 강화 모드 질화 갈륨(GaN) FET를 모두 구동하도록 설계되었습니다. 이 부동 하이사이드 구동기는 최대 100V에서 작동하는 하이사이드 강화 모드 GaN FET를 구동할 수 있습니다. 하이사이드 바이어스 전압은 부트스트랩 기술을 사용하여 생성되며 내부적으로 5.2V에서 클램핑되어 있으므로 게이트 전압이 강화 모드 GaN FET의 최대 게이트-소스 전압 정격을 초과하지 않도록 방지할 수 있습니다. LM5113의 입력은 TTL 논리와 호환되며 VDD 전압에 관계없이 최대 14V의 입력 전압을 견딜 수 있습니다. LM5113은 분할 게이트 출력을 지원하여 턴온 및 턴오프 강도를 독립적으로 조정할 수 있는 유연성을 제공합니다.
또한, LM5113의 강력한 싱크 성능은 게이트를 Low 상태로 유지하여 스위칭 동안 의도치 않은 턴온을 방지합니다. LM5113은 최대 수 MHz에서 작동할 수 있습니다. LM5113은 표준 10핀 WSON 패키지와 12범프 DSBGA 패키지로 제공됩니다. 10핀 WSON 패키지에는 전력 방출을 지원하기 위한 노출형 패드가 포함되어 있습니다. DSBGA 패키지는 콤팩트한 실장 면적과 최소화된 패키지 유도 용량을 제공합니다.
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| 응용 분야 | ||
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LM5113 Half-Bridge Gate Drivers
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
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 |  | LM5113TME/NOPB | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA | 3046 - 즉시 | $8,758.00 | 세부 정보 보기 |
|  | LM5113SDX/NOPB | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON | 4558 - 즉시 | $8,758.00 | 세부 정보 보기 |
| | LM5113SD/NOPB | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON | 1627 - 즉시 | $9,714.00 | 세부 정보 보기 |
| | LM5113SDE/NOPB | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON | 931 - 즉시 | $9,714.00 | 세부 정보 보기 |
|  | LM5113TMX/NOPB | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12USMD | 0 - 즉시 | $4,331.83 | 세부 정보 보기 |
|  | LM5113QDPRRQ1 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON | 2621 - 즉시 | $6,481.00 | 세부 정보 보기 |
Evaluation Boards
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC9201 | EVAL BOARD FOR EPC2015 | 0 - 즉시 | See Page for Pricing | 세부 정보 보기 |
|  | LM5113LLPEVB/NOPB | EVAL BOARD FOR LM5113 | 1 - 즉시 | $262,750.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2017-05-23
대한민국