LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET 전력 스테이지

구동기 및 보호 기능이 통합된 Texas Instruments의 LMG3410R050 및 LMG3411R050 GaN 전력 스테이지를 통해 설계자는 전력 전자 시스템에서 더 높은 수준의 출력 밀도와 효율을 달성할 수 있습니다. 이 장치는 초저 입출력 정전 용량, 스위칭 손실을 80%까지 줄이는 제로 역회복, EMI를 줄이는 낮은 스위치 노드 링잉 등을 비롯하여 실리콘 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)에 비해 고유한 이점을 제공합니다. 이러한 이점을 통해 토템폴 PFC와 같은 조밀하고 효율적인 토폴로지를 지원할 수 있습니다.

LMG3410R050 및 LMG3411R050은 설계를 단순화하고 신뢰성을 극대화하며 모든 전원 공급 장치의 성능을 최적화하는 고유한 기능 세트를 통합하여 기존 캐스코드 GaN 및 독립형 GaN FET에 대한 현명한 대안을 제공합니다. 통합 게이트 구동은 0에 가까운 V_DS 링잉으로 100V/ns 스위칭, 의도하지 않은 슛스루 발생으로부터 자체 보호 기능을 제공하는 100ns 미만의 전류 제한, 열폭주를 방지하는 과열 시 전원 차단, 자가 모니터링 기능을 제공하는 시스템 인터페이스 신호를 지원합니다.