BSM300D12P2E001
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BSM300D12P2E001
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM300D12P2E001

DigiKey 제품 번호
BSM300D12P2E001-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
BSM300D12P2E001
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
제조업체 표준 리드 타임
22주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 300A(Tc) 1875W 섀시 실장 모듈
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
BSM300D12P2E001 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Rohm Semiconductor
계열
-
포장
트레이
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N 채널(하프브리지)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
300A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 68mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
35000pF @ 10V
전력 - 최대
1875W
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
모듈
기준 제품 번호
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