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Rohm Semiconductor
재고 있음: 5
단가 : ₩1,851,056.00000
규격서
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 섀시 실장 모듈
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MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 섀시 실장 모듈
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

DigiKey 제품 번호
846-BSM600D12P3G001-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
BSM600D12P3G001
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 섀시 실장 모듈
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
5.6V @ 182mA
제조업체
Rohm Semiconductor
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
31000pF @ 10V
포장
벌크
전력 - 최대
2450W(Tc)
부품 현황
단종
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
기술
실리콘 카바이드(SiC)
실장 유형
섀시 실장
구성
2 N 채널(하프브리지)
패키지/케이스
모듈
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
공급 장치 패키지
모듈
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
600A(Tc)
기준 제품 번호
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(1)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
BSM600D12P4G103Rohm Semiconductor5846-BSM600D12P4G103-ND₩1,851,056.00000제조업체 추천
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