Name: BSM600D12P4G103
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM600D12P4G103-ND
Price: 1749471 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

BSM600D12P4G103
DigiKey 제품 번호	846-BSM600D12P4G103-ND
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	BSM600D12P4G103
제품 요약	MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
제조업체 표준 리드 타임	24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 567A(Tc) 1.78kW(Tc) 섀시 실장 모듈
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	박스
부품 현황	활성
기술	실리콘 카바이드(SiC)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	567A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs	-
Vgs(th)(최대) @ Id	4.8V @ 291.2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	-
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	59000pF @ 10V
전력 - 최대	1.78kW(Tc)
작동 온도	175°C(TJ)
실장 유형	섀시 실장
패키지/케이스	모듈
공급 장치 패키지	모듈
기준 제품 번호	BSM600