
SIZF4800LDT-T1-GE3 | |
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DigiKey 제품 번호 | 742-SIZF4800LDT-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) 742-SIZF4800LDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIZF4800LDT-T1-GE3 |
제품 요약 | MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR |
제조업체 표준 리드 타임 | 29주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 80V 10A(Ta), 36A(Tc) 4.5W(Ta), 56.8W(Tc) 표면 실장 PowerPAIR® 3x3FS |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SIZF4800LDT-T1-GE3 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta), 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 10A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 950pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 4.5W(Ta), 56.8W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 12-PowerPair™ | |
공급 장치 패키지 | PowerPAIR® 3x3FS |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩3,482.00000 | ₩3,482 |
| 10 | ₩2,235.30000 | ₩22,353 |
| 100 | ₩1,523.36000 | ₩152,336 |
| 500 | ₩1,218.39200 | ₩609,196 |
| 1,000 | ₩1,187.46700 | ₩1,187,467 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 3,000 | ₩995.90533 | ₩2,987,716 |
| 6,000 | ₩970.14650 | ₩5,820,879 |

