Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1514 KRW
Availability: InStock

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SISS23DN-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SISS23DN-T1-GE3
제품 요약	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
제조업체 표준 리드 타임	22주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 20 V 50A(Tc) 4.8W(Ta), 57W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8S
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SISS23DN-T1-GE3 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	P채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	50A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	4.5m옴 @ 20A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	8840 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	4.8W(Ta), 57W(Tc)
작동 온도	-50°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PowerPAK® 1212-8S
패키지/케이스	PowerPAK® 1212-8S
기준 제품 번호	SISS23