Name: SISA72ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA72ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 2154 KRW
Availability: OutOfStock

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SISA72ADN-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SISA72ADN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SISA72ADN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SISA72ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SISA72ADN-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
제조업체 표준 리드 타임	55주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 25.4A(Ta), 94A(Tc) 3.7W(Ta), 52W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SISA72ADN-T1-GE3 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 50 nC @ 10 V
계열 TrenchFET® Gen IV	Vgs(최대) +20V, -16V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2530 pF @ 20 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3.7W(Ta), 52W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 25.4A(Ta), 94A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® 1212-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SISA72
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.25m옴 @ 10A, 10V

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문서 및 미디어

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추가 리소스

대체품(3)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
RQ3E180GNTB	Rohm Semiconductor	1,441	RQ3E180GNTBCT-ND	₩1,826.00000	유사
RQ3G100GNTB	Rohm Semiconductor	45,668	RQ3G100GNTBCT-ND	₩1,342.00000	유사
RQ7E110AJTCR	Rohm Semiconductor	337	RQ7E110AJTCRCT-ND	₩2,498.00000	유사

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