Name: RQ3G100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G100GNTBTR-ND
Price: 1191 KRW
Availability: InStock

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RQ3G100GNTB
DigiKey 제품 번호	RQ3G100GNTBTR-ND - 테이프 및 릴(TR) RQ3G100GNTBCT-ND - 컷 테이프(CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RQ3G100GNTB
제품 요약	MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 10A(Ta) 2W(Ta) 표면 실장 8-HSMT(3.2x3)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RQ3G100GNTB 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	기존 설계 전용
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	10A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	14.3m옴 @ 10A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	8.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	615 pF @ 20 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2W(Ta)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-HSMT(3.2x3)
패키지/케이스	8-PowerVDFN
기준 제품 번호	RQ3G100

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