Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 1682 KRW
Availability: InStock

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SIRA12BDP-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIRA12BDP-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
제조업체 표준 리드 타임	27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 27A(Ta), 60A(Tc) 5W(Ta), 38W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SIRA12BDP-T1-GE3 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET® Gen IV
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	27A(Ta), 60A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	4.3m옴 @ 10A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs(최대)	+20V, -16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1470 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	5W(Ta), 38W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PowerPAK® SO-8
패키지/케이스	PowerPAK® SO-8
기준 제품 번호	SIRA12